제조업체 제품 번호:
SIA459EDJ-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
상세 설명:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
재고:
15828 새로운 원본 재고 있음
13008977
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIA459EDJ-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
885 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
작동 온도
-50°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SC-70-6
패키지 / 케이스
PowerPAK® SC-70-6
기본 제품 번호
SIA459
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
DIGI 인증
관련 상품
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
