제조업체 제품 번호:
SIHD7N60E-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHD7N60E-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
135 새로운 원본 재고 있음
13006727
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제출
SIHD7N60E-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Bulk
시리즈
-
포장
Bulk
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
78W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
SIHD7
대체 모델
부품 번호
STD10N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
6542
부품 번호
STD10N60M2-DG
단가
0.53
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
AOD7S60
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
4907
부품 번호
AOD7S60-DG
단가
0.63
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD11N60DM2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1905
부품 번호
STD11N60DM2-DG
단가
0.67
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD10NM60ND
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
2200
부품 번호
STD10NM60ND-DG
단가
0.83
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STD10NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
6369
부품 번호
STD10NM60N-DG
단가
1.17
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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