제조업체 제품 번호:
SIHG47N60AEL-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHG47N60AEL-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
상세 설명:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AC
재고:
14 새로운 원본 재고 있음
13006601
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제출
SIHG47N60AEL-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
EL
포장
Tube
부품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
47A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4600 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
379W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AC
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHG47
대체 모델
부품 번호
STW58N65DM2AG
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STW58N65DM2AG-DG
단가
7.29
대체 유형
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