제조업체 제품 번호:
SIHP8N50D-E3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHP8N50D-E3-DG
설명:
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 500 V 8.7A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
1000 새로운 원본 재고 있음
13007237
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제출
SIHP8N50D-E3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
527 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
156W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
SIHP8
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
대체 모델
부품 번호
AOT9N50
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
AOT9N50-DG
단가
0.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP9NK50Z
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
477
부품 번호
STP9NK50Z-DG
단가
1.05
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STP8NM50N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
996
부품 번호
STP8NM50N-DG
단가
0.88
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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