제조업체 제품 번호:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIHW47N60EF-GE3-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
상세 설명:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
재고:
13008260
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제출
SIHW47N60EF-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Vishay
포장
Tube
시리즈
-
포장
Tube
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
47A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4854 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
379W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247AD
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
SIHW47
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
대체 모델
부품 번호
STW56N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
31
부품 번호
STW56N60M2-DG
단가
4.61
대체 유형
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