제조업체 제품 번호:
PMGD130UN,115
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PMGD130UN,115-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
상세 설명:
Mosfet Array 20V 1.2A 390mW Surface Mount 6-TSSOP
재고:
12811503
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제출
PMGD130UN,115 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.2A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
83pF @ 10V
전력 - 최대
390mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
6-TSSOP
기본 제품 번호
PMGD1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
568-10792-1
2156-PMGD130UN115-NXTR-DG
2156-PMGD130UN,115-DG
PMGD130UN,115-DG
2156-PMGD130UN115
NEXNXPPMGD130UN,115
568-10792-6
568-10792-2
934066755115
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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