제조업체 제품 번호:
SIZ900DT-T1-GE3
Product Overview
제조사:
Vishay Siliconix
부품 번호:
SIZ900DT-T1-GE3-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
상세 설명:
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
재고:
12786736
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
SIZ900DT-T1-GE3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Vishay
포장
-
시리즈
TrenchFET®
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
24A, 28A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
45nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1830pF @ 15V
전력 - 최대
48W, 100W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-PowerPair™
공급업체 장치 패키지
6-PowerPair™
기본 제품 번호
SIZ900
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STL66DN3LLH5
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
STL66DN3LLH5-DG
단가
0.81
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
SIZ710DT-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
16612
부품 번호
SIZ710DT-T1-GE3-DG
단가
0.51
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
SIA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
